技术简介
芯联集成立足于场截止型（Field Stop）IGBT结构，采用业界先进的背面加工工艺，包括背面减薄工艺、离子注入、激光退火及特殊金属沉积工艺等。600V~1200V等器件工艺均已实现大规模量产，技术参数可达到业界领先水平，同时提供快恢复二极管的代工服务。
特点
场截止型（Field Stop）IGBT结构，先进的背面加工工艺，和灵活的金属层次选择，可以为客户提供定制化工艺研发和大规模量产解决方案。
应用产品
可广泛应用于工业变频、白色家电、轨道交通、电动汽车、智能电网、风力发电和太阳能等行业。
芯联集成电路制造股份有限公司
浙公网安备 33060202000985号 工信部备案：浙ICP备19035656号-2 Power by DedeCms